[发明专利]抑制浅沟槽隔离工艺中反向窄沟道效应的方法

摘要

本发明公开了一种抑制浅沟槽隔离工艺中反向窄沟道效应的方法,包括步骤：依次形成第一层二氧化硅和第二层氮化硅；定义有源区并将有源区外部的硬质掩模层去除；进行浅沟槽刻蚀；在浅沟槽的表面形成第三氧化层；采用湿法腐蚀工艺对第二层氮化硅进行刻蚀，将有源区的边缘区域露出；进行带倾角的离子注入，将离子注入到有源区的边缘区域中；填充浅沟槽氧化层；对浅沟槽氧化层进行化学机械研磨。本发明方法通过使有源区边缘暴露后在进行带倾角的离子注入，能提高有源区边缘的掺杂浓度、提高有源区边缘处的金属氧化物半导体器件的阈值电压，降低有源区边缘处器件漏电，能提高器件的性能一致性，能有效抑制浅沟槽隔离工艺中反向窄沟道效应。

主权项

一种抑制浅沟槽隔离工艺中反向窄沟道效应的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底表面形成依次形成第一层二氧化硅和第二层氮化硅；由所述第一层二氧化硅和所述第二层氮化硅组成硬质掩模层；步骤二、采用光刻工艺定义出有源区，采用刻蚀工艺将有源区外部的所述硬质掩模层去除，所述有源区表面上方的所述硬质掩模层保留；步骤三、采用刻蚀工艺对所述有源区外部的所述硅衬底中的硅进行刻蚀，在所述有源区外部形成浅沟槽，所述有源区中的硅受所述硬质掩模层的保护而不被刻蚀；步骤四、在浅沟槽的底部表面和侧壁表面形成第三氧化层；步骤五、采用湿法腐蚀工艺对所述第二层氮化硅进行刻蚀，使所述第二层氮化硅覆盖的区域小于所述有源区，将所述有源区的边缘区域露出；步骤六、进行带倾角的离子注入；所述带倾角的离子注入将离子注入到未被所述第二层氮化硅覆盖的所述有源区的边缘区域中，所注入的离子类型和形成器件的沟道区的杂质类型相同；步骤七、在所述浅沟槽中填充浅沟槽氧化层；步骤八、对所述浅沟槽氧化层进行化学机械研磨。