[发明专利]抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法

摘要

本发明公开了一种抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：在栅极多晶硅中注入硼离子；在栅极多晶硅表面注入铟离子；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在PMOS器件的栅极多晶硅硼注入之后，再进行铟注入，通过铟注入使栅极多晶硅表面发生固态相变，并使栅极多晶硅的表面形成晶界缺陷得到减少的多晶硅新核，多晶硅新核的形成能够降低掺杂原子的扩散速率，阻止硼向栅极多晶硅的表面扩散，能够降低在后续热过程中促使硼渗透到钨硅层中的风险，从而能有效抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽现象的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。

主权项

一种抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上形成栅极多晶硅后，在所述栅极多晶硅中注入硼离子，使所述栅极多晶硅呈P型掺杂结构；步骤二、在硼离子注入之后，在所述栅极多晶硅表面注入铟离子,利用铟离子的轰击使所述栅极多晶硅表面被轰击的部分发生固态相变，使所述栅极多晶硅的表面被轰击的部分形成晶界缺陷得到减少的多晶硅新核；步骤三、在所述栅极多晶硅的表面形成钨硅层，由所述钨硅层和所述栅极多晶硅组成所述PMOS器件的栅极。