[发明专利]低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210263198.3 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102780159A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张帆;韩效亚;杜石磊;林晓珊;叶培飞;占荣;耿松涛;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/14 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法，涉及半导体激光器领域，本发明通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 低线宽 980 nm 应变 量子 激光器 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低线宽的980nm F‑P腔应变量子阱激光器的外延片，其特征在于：包括顺序连接的GaAs衬底层、缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司，未经扬州乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210263198.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种格子面单沙发
- 下一篇：燃气锅炉及燃气、燃油设备的烟气喷淋净化热回收系统
- 一种海洋探测用395nm532nm636nm790nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用435nm533nm661nm870nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用500nm533nm695nm1000nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用510nm533nm700nm1020nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用485nm533nm687nm970nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用520nm515nm689nm1040nm1030nm七波长激光器
- 一种海洋探测用552nm515nm702nm1104nm1030nm七波长激光器
- 一种海洋探测用604nm515nm722nm1208nm1030nm七波长激光器
- 一种海洋探测用600nm515nm720nm1200nm1030nm七波长激光器
- 一种海洋探测用612nm515nm725nm1224nm1030nm七波长激光器
