[发明专利]普通电力整流二极管芯片的台面造型工艺无效
申请号: | 201210262684.3 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN102760659A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 戴立新 | 申请(专利权)人: | 黄山市七七七电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/329 |
代理公司: | 安徽汇朴律师事务所 34116 | 代理人: | 丁瑞瑞 |
地址: | 242700 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 一种普通电力整流二极管芯片的台面造型工艺,包括下述步骤:首先使用一个角度的锥形磨角器将芯片研磨出第一斜面造型,然后再使用另一个角度的锥形磨角器研磨出芯片的第二斜面造型,最后使用球形磨角器在第一斜面和第二斜面的连接处研磨出芯片的辅助弧形面造型。第一斜面、第二斜面及辅助弧形面组成为芯片的多角度台面造型。本发明的优点在于:突破了传统的电力整流管芯片台面单一角度的台面造型模式。多角度搭配研磨工艺新应用技术的出现,使得芯片台面具有更加完美的多角度台面造型。有效提高了电力整流管芯片承载更高工作电压的能力。 | ||
搜索关键词: | 普通 电力 整流二极管 芯片 台面 造型 工艺 | ||
【主权项】:
一种普通电力整流二极管芯片的台面造型工艺,其特征在于:包括下述步骤:首先用一个角度的锥形磨角器将芯片研磨出第一斜面造型,然后再使用另一个角度的锥形磨角器研磨出芯片的第二斜面造型,最后使用球形磨角器在第一斜面和第二斜面的连接处研磨出芯片的辅助弧形面造型,第一斜面、第二斜面及辅助弧形面组成为芯片的多角度台面造型;所述锥形磨角器包括磨角器柱体,所述磨角器柱体的上方开设有磨角凹槽,所述磨角凹槽具有圆锥形斜面的研磨面;所述球形磨角器包括磨角器柱体,所述磨角器柱体的上方开设有磨角凹槽,所述磨角凹槽具有球形的研磨面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造