[发明专利]水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法有效
| 申请号： | 201210260306.1 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102922815A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 赵四祥;谢春意;徐跃;罗广南 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | B32B15/01 | 分类号： | B32B15/01;B32B15/20;C25D3/38;C23C16/06;C23C28/02 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法，包括有三层结构，三层结构自下至上依次为热沉、适配层、面向等离子体材料，热沉采用沉淀硬化的CuCrZr合金材料，适配层采用厚度为1-3 mm低氧含量高纯软铜材料OFHC-Cu，面向等离子体材料采用厚度为1-4 mm的化学气相沉积钨涂层CVD-W，OFHC-Cu表面预毛化处理提高结合强度，热沉中开有通孔作为冷却水通道，冷却水通道中通有循环水。本发明提出的是一种低成本、高冷却效率和可靠性强的PFC方案，可应用于聚变装置中正常运行时热负荷相对较低（稳态热流＜5 MW/m2）的面向等离子体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 水冷 平板 层状 cucrzr ofhc cu cvd 面向 等离子体 部件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种水冷却平板层状CuCrZr/OFHC‑Cu/CVD‑W面向等离子体部件，其特征在于：包括有三层结构，所述的三层结构自下至上依次为热沉、适配层、面向等离子体材料，所述的热沉采用沉淀硬化的CuCrZr合金材料，所述的适配层采用厚度为1‑3 mm低氧含量高纯软铜材料OFHC‑Cu，所述的面向等离子体材料采用厚度为1‑4 mm的化学气相沉积钨涂层CVD‑W，所述的热沉中开有通孔作为冷却水通道，冷却水通道中通有循环水。
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