[发明专利]SiC和石墨混杂增强铜基表面复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210260288.7 申请日: 2012-07-26
公开(公告)号: CN102787253A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 周永欣;苑凌霄;吕振林 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C22C9/00 分类号: C22C9/00;C22C1/10;B22C9/04;B22C19/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 李娜
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种SiC和石墨混杂增强铜基表面复合材料的制备方法,将SiC颗粒经过预处理,与石墨颗粒混合,再添加粘结剂以及硼酸和氟化钠得到预制膏体,涂覆泡沫表面,烘干并与浇注系统组装;然后涂刷消失模铸造耐火涂料,低温下烘烤干燥;浇注时将制备好的浇注系统与组合体模型放入砂型,抽真空后熔炼黄铜,并用磷铜脱氧,木炭作覆盖剂,待铜完全熔化达到设定的浇注温度后,在负压度下完成浇注,保持一定的负压铸渗时间冷却后经切割、打磨后即得。通过本发明方法制备的SiC和石墨混杂增强铜基表面复合材料复合层表面较平整,增强颗粒分布较均匀,厚度可以达到2~2.5mm,复合层与基体的界面结合良好,无明显的团聚现象。
搜索关键词: sic 石墨 混杂 增强 表面 复合材料 制备 方法
【主权项】:
一种SiC和石墨混杂增强铜基表面复合材料的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤进行,步骤1对SiC颗粒进行表面预处理:将SiC颗粒置于清水中,放入超声波清洗器清洗10~15min,去除SiC颗粒中掺杂的灰土;然后将水洗后的SiC颗粒放置于SHD电热式干燥箱中,在200~300℃的温度下烘烤1小时,去除SiC颗粒表面吸附的易挥发污染物;SiC颗粒降至室温后,将SiC颗粒放入丙酮中进行超声波清洗10~15min,反复2~3次,清洗SiC颗粒表面的残留有机物杂质,然后在120~150℃下烘干;按照质量百分比将86%~92%的表面预处理过的SiC颗粒,2%~8%的石墨颗粒,2%的硼酸,2%氟化钠,2%粘土混合,并加入混合物总质量20%~25%的水,搅拌均匀,得到预制膏体;步骤2切割泡沫材料为长方体形状,并将步骤1中制备的预制膏体均匀地涂覆在泡沫中面积最大的面上,涂覆厚度为2mm,然后在30~40℃的温度下烘干,得到膏体泡沫组合体;步骤3将经步骤2干燥后的膏体泡沫组合体与浇注系统粘接组装,并在膏体表面涂刷消失模铸造耐火涂料,耐火涂料涂刷厚度为1mm,之后在30~40℃的温度下烘烤至完全干燥,得到组合体;步骤4将步骤3制备好的组合体放入砂型中,经充砂、震实后用SK‑SY型水环式真空泵对砂型抽真空,当砂型内负压度达到0.06~0.07MPa的大气压时,用中频感应电炉熔炼铜块,加入脱氧剂和覆盖剂,当铜块完全熔化,并达到1250℃的浇注温度后,进行浇注,浇注时砂型内负压度大小为0.056~0.058MPa,浇注后保持砂型内负压度15~20min,之后待砂型冷却至常温后除去砂型,切割、打磨后即得。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学,未经西安理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210260288.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top