[发明专利]一种有效判定铜扩散阻挡层阻挡能力的方法有效
| 申请号： | 201210259216.0 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102768988A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 曹永峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种有效判定铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，包括以下步骤：在半导体器件介质层上形成接触孔和金属层所需的沟槽结构；沉淀阻挡层并在沟槽结构中淀积铜形成金氧半场效晶体管；步骤6，通过测量器件的电学特性是否符合预定标准，如是，阻挡层具有阻挡能力；如否，重新进行步骤4至6。本发明的方法比现有的方法更加有效的监控判定和评估。并能准确的对扩散阻挡层的质量和厚度进行有效的评估，从而对于Cu工艺的等比例缩小提供准确的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 判定 扩散 阻挡 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种有效判定铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在半导体器件上形成硅化物；步骤2，在半导体器件及硅化物上形成介质层；步骤3，在介质层上形成接触孔和金属层所需的沟槽结构；步骤4，在沟槽结构中沉淀阻挡层并在沟槽结构中淀积铜；步骤5，通过研磨成型接触孔和金属层层次，形成金氧半场效晶体管；步骤6，通过测量器件的电学特性是否符合预定标准，如是，阻挡层具有阻挡能力；如否，阻挡层不具有阻挡能力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
