[发明专利]双阵列式电容传感器及其气固两相流检测方法无效
申请号: | 201210258938.4 | 申请日: | 2012-07-25 |
公开(公告)号: | CN102768229A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 杨道业;张智;李虎;徐弈辰;施源 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | G01N27/22 | 分类号: | G01N27/22;G01P5/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 朱小兵 |
地址: | 211816 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了双阵列式电容传感器及其气固两相流检测方法,属于多相流检测领域。本发明是利用双阵列式电容传感器相邻极板灵敏度不均匀的特点,通过测量相邻极板电容以获得传感器内部局部浓度,从而重建管道内部两个截面的相浓度分布。根据流体中离散相局部浓度的随机变化引起极板间电容量的随机变化,采用互相关法快速重建管道内部速度场分布。从而根据浓度分布和速度分布对气固流的稳定性和流型等过程规律进行非接触式监测和研究。本发明方法是电容层析成像技术的延伸,测量数据少且无需复杂运算,检测速度快;避免ECT图象重建的非线性误差,检测准确可靠,为气固两相流流动特性研究提供了有力手段。 | ||
搜索关键词: | 阵列 电容 传感器 及其 两相 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种双阵列式电容传感器,包括n个激励电极和n个检测电极,所述激励电极和检测电极相间排列,n为自然数,其特征在于:所述检测电极在轴向上被分为对称的两部分,且两部分之间存在间隔L。
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