[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210258854.0 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103579314B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;闫江;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/092;H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的多个栅极堆叠结构、每个栅极堆叠结构两侧的多个栅极侧墙结构、每个栅极侧墙结构两侧衬底中的多个源漏区，多个栅极堆叠结构包括多个第一栅极堆叠结构和多个第二栅极堆叠结构，其特征在于：第一栅极堆叠结构包括第一栅极绝缘层、第一阻挡层、第一功函数调节层、和电阻调节层，第二栅极堆叠结构包括第二栅极绝缘层、第一阻挡层、第二功函数调节层、第一功函数调节层、和电阻调节层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，先选择性沉积NMOS功函数调节层然后再沉积PMOS功函数调节层，简化了PMOS金属栅极结构，在有效控制金属栅功函数的同时还能提高电阻调节层填充的空间，从而有效降低栅极电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括衬底、衬底上的多个栅极堆叠结构、每个栅极堆叠结构两侧的多个栅极侧墙结构、每个栅极侧墙结构两侧衬底中的多个源漏区，多个栅极堆叠结构包括用于PMOS的多个第一栅极堆叠结构和用于NMOS的多个第二栅极堆叠结构，其特征在于：第一栅极堆叠结构由第一栅极绝缘层、第一阻挡层、第一功函数调节层、和电阻调节层构成，第二栅极堆叠结构由第二栅极绝缘层、第一阻挡层、第二功函数调节层、第一功函数调节层、和电阻调节层构成，其中第二功函数调节层为Al或者Al合金，第一阻挡层包括MxSiyNz，其中M为扩散速率比Al慢的金属，第一功函数调节层不含有Al。
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