[发明专利]一种用于缩小金属硬掩膜层的关键尺寸的方法有效
| 申请号： | 201210258574.X | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103578917B | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 武咏琴;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于缩小金属硬掩膜层的关键尺寸的方法，包括提供衬底，所述衬底上方形成有具有开口图案的金属硬掩膜层；以及对所述金属硬掩膜层执行湿法蚀刻处理，以氧化所述金属硬掩膜层中具有预定厚度的部分，继而去除所述金属硬掩膜层中被氧化的部分，反复重复上述过程后根据本发明的方法能够在图案密集区和图案稀疏区之间获得一致的CD缩小比例或CD偏移，进而能够制作具有改进的电学性能的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 缩小 金属 硬掩膜层 关键 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种用于缩小金属硬掩膜层的关键尺寸的方法，包括：提供衬底，所述衬底上方形成有具有开口图案的金属硬掩膜层；以及对所述金属硬掩膜层执行湿法蚀刻处理，以氧化所述金属硬掩膜层中具有预定厚度的部分，继而去除所述金属硬掩膜层中被氧化的部分；对所述金属硬掩膜层重复执行所述湿法蚀刻处理，直至将所述金属硬掩膜层的所述关键尺寸缩小至预先设定的关键尺寸，从而达到缩小金属硬掩膜层的关键尺寸，增大开口尺寸的目的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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