[发明专利]半导体结构和鳍式场效应管的形成方法、刻蚀装置

摘要

一种半导体结构和鳍式场效应管的形成方法、刻蚀装置，其中鳍式场效应管的形成方法，包括提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底，形成若干鳍部，相邻鳍部之间具有第一凹槽；在第一凹槽中填充满隔离材料，形成隔离结构；喷涂液体过程，在隔离结构和鳍部表面喷涂形成一层液体，喷涂时旋转所述半导体衬底；反应气体供入过程，供入反应气体，反应气体与隔离结构和鳍部表面喷涂形成的一层液体溶合，形成刻蚀溶液，刻蚀所述隔离结构；重复上述喷涂液体过程和反应气体供入过程，直至去除部分厚度的隔离结构，形成第二凹槽，暴露部分高度的所述鳍部；形成横跨所述暴露部分高度的所述鳍部的表面和侧壁的栅极结构。提高了去除部分厚度的隔离结构的去除精度。

主权项

一种刻蚀装置，其特征在于，包括：处理腔室；基座，位于处理腔室中，用于夹持待处理晶圆，并使其水平旋转；所述基座还具有加热单元，用于对所述基座上夹持的晶圆进行加热，所述加热的温度范围为20～80摄氏度；液体喷头，位于基座上方，用于向待处理晶圆表面喷涂液体；若干气体喷头，位于基座上方，并环绕所述液体喷头，用于向待处理晶圆表面的喷涂的液体中供入反应气体，形成刻蚀溶液；所述气体喷头向液体喷头的一侧倾斜，所述气体喷头的倾斜角度为0～45度；所述气体喷头以所述液体喷头呈同心圆分布；每一个同心圆上相邻气体喷头之间的间距相等；最外层同心圆的半径大于或等于待处理晶圆的半径。