[发明专利]一种光刻胶模板及图案化ZnO纳米棒阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种三光束激光干涉制备光刻胶模板的方法以及利用此方法制备图案化ZnO纳米棒阵列的应用，借助三光束激光干涉图案化技术，单次曝光快速生成大面积六角排列圆形孔洞模板，利用该模板对ZnO纳米棒阵列进行限域水热生长，从而实现ZnO纳米棒在位置、粗细、长短和疏密上的精确调控，具有系统结构简单、成本低廉、无需掩膜和转台、加工速度快和调控能力强等优点。所得大面积高度有序排列的ZnO纳米棒阵列，可应用于多个相关领域，包括发光二极管、紫外探测器、染料敏化太阳能电池、场发射冷阴极、应力传感器和生物传感器等，最终提高纳米功能器件的性能，具有重大的现实意义。

主权项

一种光刻胶模板的制备方法，其特征在于，包括以下的制备步骤：（1）三光束激光干涉系统：一束325nm激光从He‑Cd激光器中发出，经两面圆形介质全反射镜反射，进入空间滤波器进行滤波处理，扩束后形成大光斑；样品以5~60度入射角进行放置，两面方形紫外增强铝反射镜垂直于样品台放置，相互夹角为120度，样品台与两面方形反射镜的交点对准大光斑的中心；（2）基片清洗与光刻胶旋涂：基片经清洗后，氮气吹干；i线负性紫外光刻胶经1:1~2的质量比稀释后，进行变速旋涂，得到光刻胶膜，对其进行热板软烘；（3）基片曝光和显影：将步骤（2）中旋涂有光刻胶的基片固定到菱形曝光区域利用步骤（1）的三光束激光干涉系统进行曝光，对曝光后的基片进行热板硬烘，对其进行显影、定影后用氮气吹干，即可得到大面积六角排列圆形孔洞光刻胶模板。