[发明专利]一种Ⅲ族氮化物半导体器件的制备方法无效
| 申请号： | 201210251977.1 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102779787A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李艳 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件的制备方法，它包括以下步骤：A)在基片上外延出Ⅲ族氮化物层；B)在Ⅲ族氮化物层上形成多个凹槽，这些凹槽将Ⅲ族氮化物层分为多个独立的区间；C)对多个独立的区间以及位于区间内的基片进行微加工形成一个或多个半导体器件。本发明采用以上方法，能够解决基片与Ⅲ族氮化物之间晶格不匹配问题和热失配问题而引起的翘曲，从而保证高质量的晶圆微加工工艺，大大提高器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体器件的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：A)在基片上外延出III族氮化物层；B)在III族氮化物层上形成多个凹槽，这些凹槽将III族氮化物层分隔为多个独立的区间；C)对多个独立的区间以及位于区间内的基片进行微加工形成多个半导体器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏能华微电子科技发展有限公司，未经江苏能华微电子科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210251977.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无刷驱动电机前端盖
- 下一篇：发电机中用于压紧冲片的齿压板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
