[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201210251100.2 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103579082B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 谢炎璋;许进恭;刘恒;李君超;施雅萱;陈嘉南 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L33/14;H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司 44254 | 代理人： | 马静 |
| 地址： | 开曼群岛KY1-11*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种半导体装置的形成方法，包括：形成第一型掺杂层、第二型掺杂层及电性耦合于第一型掺杂层与第二型掺杂层之间的内部电性连接层。在一实施例中，使用四族元素前驱物(group IV based precursor)与氮基前驱物(nitrogen based precursor)以形成内部电性连接层。在另一实施例中，使用含碳材料作为掺杂源以形成内部电性连接层，且内部电性连接层中碳元素的掺杂浓度大于1017原子/立方厘米。在又一实施例中，内部电性连接层的形成温度小于第一型掺杂层的形成温度及第二型掺杂层的形成温度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的形成方法，包含：提供一基材；在所述基材上形成一第一型掺杂层；藉由一四族元素前驱物与一氮基前驱物形成一内部电性连接层，且该内部电性连接层中的四族元素与氮元素的原子数占该内部电性连接层总原子数百分比的50％以上；及形成一第二型掺杂层，其中，所述内部电性连接层位于所述第一型掺杂层与所述第二型掺杂层之间，且电性耦合所述第一型掺杂层与所述第二型掺杂层，其中，所述内部电性连接层为缺陷诱导内部电性连接层，所述缺陷诱导内部电性连接层提供一第一缺陷密度，该缺陷诱导内部电性连接层的成长面具有一第二缺陷密度，该第一缺陷密度为该第二缺陷密度的5倍以上，该缺陷诱导内部电性连接层的厚度小于或等于100纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
