[发明专利]薄膜沉积装置及薄膜沉积方法有效
申请号: | 201210250738.4 | 申请日: | 2012-07-19 |
公开(公告)号: | CN103572244A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 王厚工;丁培军;耿波;李杨超;武学伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C14/34 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种薄膜沉积装置及薄膜沉积方法,薄膜沉积装置包括反应腔室、靶材、晶圆支撑装置、能量控制器以及与所述靶材电连接的功率源,所述功率源设置在所述反应腔室外,所述靶材设置在所述反应腔室内的顶部,所述晶圆支撑装置设置在所述反应腔室内的底部并与所述靶材相对,所述能量控制器设置在所述靶材和所述晶圆支撑装置之间并接地,而且在所述能量控制器上设有贯穿其厚度的多个通孔,所述通孔的内径小于分子碰撞的平均自由程。该薄膜沉积装置可以减少晶圆表面的损伤。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜沉积装置,包括反应腔室、靶材、晶圆支撑装置以及与所述靶材电连接的功率源,所述功率源设置在所述反应腔室外,所述靶材设置在所述反应腔室内的顶部,所述晶圆支撑装置设置在所述反应腔室内的底部并与所述靶材相对,其特征在于,在所述靶材和所述晶圆支撑装置之间还设有能量控制器,所述能量控制器接地,在所述能量控制器上设有贯穿其厚度的多个通孔,所述通孔的内径小于分子碰撞的平均自由程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210250738.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:萃取物在多孔颗粒中的包裹
- 下一篇:可调式散热装置
- 同类专利
- 专利分类