[发明专利]基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201210245197.6 申请日: 2012-07-16
公开(公告)号: CN102769092A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 潘开林;朱玮涛;任国涛;黄静;黄鹏 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 刘梅芳
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构及其封装方法,封装结构包括硅载体、LED芯片和散热基板,其特征在于:所述的硅载体设有导电通道和导热通道,导电通道与安置于硅载体上的LED芯片连接,导电通道与设置在硅载体下端的散热基板连接;导热通道作为LED芯片的散热通道与散热基板连接;所述的散热通道与导电通道互不干涉。封装方法包括硅载体的制作方法。本发明降低了封装成本,可实现大批量生产、减少封装体积、节省材料,使电子产品更加小型化;提高电气性能和热可靠性能;提高发光效率,通过通孔及凹槽的工艺制作,可减少光的散射,提高光通量,通过预留出荧光粉涂覆层的位置实现荧光粉配量可控性和操作的方便,提高生产效率。
搜索关键词: 基于 硅通孔 技术 晶圆级 大功率 led 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
一种基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构,包括硅载体、LED芯片和散热基板,其特征在于:所述的硅载体设有导电通道和导热通道,导电通道与安置于硅载体上的LED芯片连接,导电通道与设置在硅载体下端的散热基板连接;导热通道作为LED芯片的散热通道与散热基板连接;所述的散热通道与导电通道互不干涉。
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