[发明专利]具有新型结构的高压(HV)器件端接及其制备方法有效
| 申请号： | 201210244919.6 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102891169A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;马督儿·博德;丁永平;金钟五;安荷·叭剌 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明为具有新型结构的高压(HV)器件端接及其制备方法，公开了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，含有一个形成在轻掺杂区上的重掺杂区，并且具有一个有源器件元区和一个边缘终接区。边缘终接区包括多个终接沟槽，形成在重掺杂区中，终接沟槽内衬电介质层，并且用导电材料填充。边缘终接还包括多个掩埋保护环，作为掺杂区，在半导体衬底的轻掺杂区中，紧靠终接沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 新型 结构 高压 hv 器件 端接 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件，其设置在半导体衬底中，包括一个形成在轻掺杂区上方的重掺杂区，并且具有一个有源器件元区和一个边缘终接区，其特征在于，所述的边缘终接区包括多个终接沟槽，形成在所述的重掺杂区上，内衬电介质层，并且填充导电材料；以及多个掩埋保护环，作为掺杂区，形成在所述的半导体衬底的所述的轻掺杂区中，位于终接沟槽附近。
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