[发明专利]一种应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种应变Si BiCMOS集成电路的制备方法，包括以下步骤：选第一类型Si片作衬底，在其表面形成第二类型重掺杂埋层区域；外延生长集电极，刻蚀深槽隔离区域，形成基区和重掺杂发射区；在PMOS有源区垂直方向上生长漏区、第一应变Si层、沟道区、第二应变Si层和源区，并在其上形成栅极；在NMOS有源区形成栅极、源区和漏区；其中在同一个Si衬底上双极器件采用体Si材料制备，CMOS器件采用应变Si材料制备；NMOS具有沿沟道方向为张应变的应变Si水平沟道；PMOS具有沿沟道方向为压应变的应变Si垂直沟道，并且为回型结构；本发明充分利用了应变Si材料载流子迁移率远高于体Si材料的特点而制备出了性能增强的应变SiBiCMOS集成器件及电路。

主权项

一种应变Si BiCMOS集成电路的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、选第一类型Si片作衬底，在其表面形成第二类型重掺杂埋层区域；第二步、外延生长集电极，刻蚀深槽隔离区域，形成基区和重掺杂发射区；第三步、在PMOS有源区垂直方向上生长漏区、第一应变Si层、沟道区、第二应变Si层和源区，并在其上形成栅极；第四步、在NMOS有源区形成栅极、源区和漏区。