[发明专利]CMOS管的PMOS替代栅极的去除方法

摘要

本发明公开了一种CMOS管的PMOS替代栅极的去除方法：在半导体衬底上以STI为界，形成具有PMOS结构的第一区域和具有NMOS结构的第二区域；在上述区域表面依次沉积刻蚀终止层和层间介质层，并对层间介质层进行化学机械研磨，所述研磨停止在刻蚀终止层上，显露出PMOS结构和NMOS结构的替代栅极；沉积硬掩膜层；用光阻胶层遮挡第二区域，将PMOS结构表面上的硬掩膜层打开，显露出PMOS替代栅极；分两步去除光阻胶层，第一步采用含氧气体对光阻胶层进行处理，第二步采用氮气或者氮气和氢气的组合去除剩余光阻胶层；将PMOS替代栅极从掩埋的层间介质层中去除。本发明能够避免去除PMOS替代栅极过程中产生聚合物。

主权项

一种互补型金属氧化物半导体CMOS管的PMOS替代栅极的去除方法，所述CMOS包括PMOS结构和NMOS结构，该方法包括：在半导体衬底上以浅沟槽隔离区为界，形成具有PMOS结构的第一区域和具有NMOS结构的第二区域；所述PMOS结构和NMOS结构都至少包括在半导体衬底表面依次形成的高介电常数栅氧化层和替代栅极，以及位于替代栅极两侧且在半导体衬底中的有源区；在所述第一区域和第二区域表面依次沉积刻蚀终止层和层间介质层，并对层间介质层进行化学机械研磨，所述研磨停止在刻蚀终止层上，显露出PMOS结构和NMOS结构的替代栅极；沉积硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖PMOS结构和NMOS结构；用光阻胶层遮挡第二区域，将PMOS结构表面上的硬掩膜层打开，显露出PMOS替代栅极；分两步去除所述光阻胶层，第一步采用含氧气体对光阻胶层进行处理，第二步采用氮气或者氮气和氢气的组合气体去除剩余光阻胶层；以NMOS结构表面的硬掩膜层为遮挡，将PMOS替代栅极从掩埋的层间介质层中去除。