[发明专利]金属塞制备方法及其在相变随机存储器中的应用有效
| 申请号： | 201210244021.9 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103545247A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;王冬江;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种金属塞制备方法，该方法包括：提供电介质层，所述电介质层具有贯穿设置的通洞；在所述电介质层上沉积金属层，所述金属层覆盖所述电介质层并填充所述通洞；对所述金属层进行湿法主刻蚀，所述湿法主刻蚀采用终点检测的方法控制刻蚀终点，以去除所述通洞以外的所述金属层；对所述金属层进行湿法过刻蚀，去除所述通洞内的部分所述金属层，以形成金属塞。本发明的金属塞制备方法，能够提高金属塞高度均匀性的同时，保证金属塞上方通洞侧壁的形貌，并且能够简化了工艺流程，节约了工作时间，提高了效率，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 制备 方法 及其 相变 随机 存储器 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种金属塞制备方法，包括：提供电介质层，所述电介质层具有贯穿设置的通洞；在所述电介质层上沉积金属层，所述金属层覆盖所述电介质层并填充所述通洞；对所述金属层进行湿法主刻蚀，采用终点检测的方法控制刻蚀终点，以去除所述通洞以外的所述金属层；对所述金属层进行湿法过刻蚀，去除所述通洞内的部分所述金属层，以形成金属塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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