[发明专利]一种用于高k金属栅极NMOS晶体管的测试装置和测试方法有效
| 申请号： | 201210243866.6 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103543396A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于高k金属栅极NMOS晶体管的测试装置和测试方法。该测试装置包括：电阻，所述电阻连接在所述测试装置的输入端和输出端之间；以及二极管，所述二极管的正极用于与偏压源连接，所述二极管的负极连接至所述测试装置的所述输出端，其中，所述测试装置的所述输入端用于接收测试信号，且所述测试装置的所述输出端用于连接待测试的NMOS晶体管的栅极。本发明提供的NMOS晶体管的测试装置能够在PBTI测试过程中连续地、自动地对待测试的NMOS晶体管施加应力，进而可以有效地解决PBTI测试中的恢复效应问题。此外，本发明提供的NMOS晶体管的测试装置很容易被操作，并且基本不需要额外的硬件，因此成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 金属 栅极 nmos 晶体管 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于高k金属栅极NMOS晶体管的测试装置，其特征在于，包括：电阻，所述电阻连接在所述测试装置的输入端和输出端之间；以及二极管，所述二极管的正极用于与偏压源连接，所述二极管的负极连接至所述测试装置的所述输出端，其中，所述测试装置的所述输入端用于接收测试信号，且所述测试装置的所述输出端用于连接待测试的NMOS晶体管的栅极。
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