[发明专利]使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的纵向功率器件有效
| 申请号： | 201210243181.1 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102779836A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李俊宏;李平 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的纵向功率器件，涉及半导体功率器件，本发明包括漂移区、硅衬底、栅极、沟道区、欧姆接触重掺杂区、源极和绝缘栅极介质，其特征在于，漂移区、硅衬底、源极为第一种导电类型，沟道区、欧姆接触重掺杂区为第二种导电类型，高介电常数材料柱设置于栅极与硅衬底之间，栅极与高介电常数材料柱直接接触，漂移区环绕于高介电常数材料柱。本发明使高介电材料功率器件的比导通电阻和纵向Super Junction功率器件相比，出现超过三个数量级的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 介电常数 结构 通电 纵向 功率 器件 | ||
【主权项】：
使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的纵向功率器件，包括漂移区（1）、硅衬底（4）、栅极（5）、沟道区（6）、欧姆接触重掺杂区（7）、源极（8）和绝缘栅极介质（9），其特征在于，漂移区（1）、硅衬底（4）、源极（8）为第一种导电类型，沟道区（6）、欧姆接触重掺杂区（7）为第二种导电类型，高介电常数材料柱（3）设置于栅极（5）与硅衬底（4）之间，栅极（5）与高介电常数材料柱（3）直接接触，漂移区（1）环绕于高介电常数材料柱（3）。
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