[发明专利]防止漏电流结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210239297.8 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103545407A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 谢炎璋 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/735;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;文琦 |
| 地址： | 开曼群岛KY1-11*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 提供了一种防止漏电流结构及其制造方法。一种防止漏电流结构，包括：一基板；在所述基板上的一第一III-V族化合物层；在所述第一III-V族化合物层上的一第二III-V族化合物层；以及在所述第二III-V族化合物层上的至少一半导体组件；其中所述第一III-V族化合物层与所述第二III-V族化合物层接触，共同形成一高阻值层，以防止所述至少一半导体组件所产生的漏电流流至所述基板。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 漏电 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种防止漏电流结构，包括：一基板；在所述基板上的一第一III‑V族化合物层；在所述第一III‑V族化合物层上的一第二III‑V族化合物层；以及在所述第二III‑V族化合物层上的至少一半导体组件；其中所述第一III‑V族化合物层与所述第二III‑V族化合物层接触，共同形成一高阻值层，以防止所述至少一半导体组件所产生的漏电流流至所述基板。
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