[发明专利]一种聚晶立方氮化硼复合片的制备方法

摘要

本发明涉及一种聚晶立方氮化硼（PcBN）复合片的制备方法，该方法采用金属片熔渗法，具体步骤是：在高温高压条件下（HPHT，4.8～5.2GPa,1400～1550℃），采用厚度为0.05-0.2mm的金属片（Ni75Mn16Co9、Ti、Al等）作为烧结助剂，微米级立方氮化硼（cBN粒径≥3μm）粉末与硬质合金（WC-Co）作为原材料制备PcBN复合片。由于本发明所述的制备PcBN方法是通过金属片及基体的相互式熔渗技术，其助剂能够有效地熔渗到立方氮化硼粉末层及硬质合金基体，cBN聚晶层内形成氮化硼、合金固溶体、金属陶瓷等烧结相，其烧结体组织结构均匀致密，并与硬质合金基体形成高强度的复合，同时提高了基体韧性。该方法操作性强，可以消除粉末混料工序引入的污染，合成的PcBN产品稳定性高，适用于冷硬铸铁、耐热合金及淬硬钢等材料的精密加工领域。

主权项

一种聚晶立方氮化硼复合片的制备方法，该聚晶立方氮化硼复合片采用金属片，微米级立方氮化硼粉末和硬质合金基体材料在高温高压下烧结制成，其特征在于：该方法包括以下步骤：①、选取相同片径的金属片与硬质合金基体，微米级立方氮化硼粉末作为原材料；②、将上述①中选取的金属片、硬质合金基体和立方氮化硼粉末放入钼杯中进行组装，组装方式从下至上依次为金属片，立方氮化硼粉末，硬质合金基体；③、将②组装的钼杯经过预压成型、真空预烧处理、叶腊石复合块腔体组装、高压烧结程序完成聚晶立方氮化硼复合片的制备。