[发明专利]一种铌酸锂衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 201210232239.2 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102732965A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铌酸锂衬底的制造方法，采用铌酸锂晶体生长为铌酸锂衬底，在所述铌酸锂晶体生长的过程中掺入光折变元素。本发明还提供一铌酸锂衬底，所述铌酸锂衬底通过生长铌酸锂晶体形成，所述铌酸锂衬底为在所述铌酸锂晶体的生长的过程中掺入光折变元素的衬底，采用所述铌酸锂衬底用于制备LED芯片，降低外延材料中的缺陷密度和LED的生产成本，能更有效地提高LED的发光亮度，加快LED在通用照明领域中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铌酸锂衬底的制造方法，其特征在于，采用铌酸锂晶体生长为铌酸锂衬底，在所述铌酸锂晶体生长的过程中掺入光折变元素。
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