[发明专利]沟槽式MOS晶体管及其制造方法、集成电路在审
| 申请号： | 201210230396.X | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102738219A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽式MOS晶体管及其制造方法、集成电路。根据本发明的沟槽式MOS晶体管包括依次形成在衬底正面的外延层、沟道区以及源端。并且，所述沟槽式MOS晶体管还包括多晶硅栅，所述多晶硅栅位于沟道区及外延层的沟槽中，在所述多晶硅栅的侧面及底面包围有栅氧化层。所述沟槽式MOS晶体管还包括形成在所述衬底背面的漏端。其中，在所述衬底的背面形成了衬底凹槽结构，并且所述漏端填充了所述衬底凹槽结构。根据本发明，由于衬底中形成了填充有导电材料的沟槽结构，从而可以有效地降低衬底的等效电阻，由此能够有效降低沟槽式MOS晶体管的源端至漏端的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 晶体管 及其 制造 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
一种沟槽式MOS晶体管，其特征在于包括：依次形成在衬底正面的外延层、沟道区以及源端，并且，所述沟槽式MOS晶体管还包括多晶硅栅，所述多晶硅栅位于沟道区及外延层的沟槽中，在所述多晶硅栅的侧面及底面包围有栅氧化层；并且所述沟槽式MOS晶体管还包括形成在所述衬底背面的漏端；其中，在所述衬底的背面形成了衬底凹槽结构，并且所述漏端填充了所述衬底凹槽结构。
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