[发明专利]一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构有效
| 申请号： | 201210227688.8 | 申请日： | 2012-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102760756A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 祝靖;张龙;吴逸凡;钱钦松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底、过渡区I及终端区II，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有过渡区I及终端区II，在过渡区I及终端区II内超结结构，在过渡区I内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区的上方设有过渡区多晶硅层，过渡区多晶硅层电连接有第一金属场板，在终端区II的各个N型掺杂硅柱状区域的上方分别设有终端区多晶硅层，各个终端区多晶硅层分别向过渡区I延伸并分别止于相邻的P型掺杂柱状半导体区的上方，在各个终端区多晶硅层上电连接有第二金属场板，第二金属场板向终端区II的外边界延伸并止于下一块终端区多晶硅层的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空场 金属 氧化物 场效应 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底(2)、过渡区(I)及终端区(II)，在N型重掺杂硅衬底(2)的下表面设置有漏极金属(1)，在N型重掺杂硅衬底(2)的上表面设有N型掺杂硅外延层(3)，在N型掺杂硅外延层(3)内设有过渡区(I)及终端区(II)且终端区(II)位于过渡区(I)外部，在过渡区(I)内设有过渡区(I)的超结结构，在终端区(II)内设有终端区(II)的超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域(4)和N型掺杂硅柱状区域(5)，P型掺杂硅柱状区域(4)和N型掺杂硅柱状区域(5)交替排列，在过渡区(I)内设有P型掺杂半导体区(6)且P型掺杂半导体区(6)与过渡区(I)的内边界相邻，在N型掺杂硅外延层(3)上设有N型重掺杂半导体区(12)且N型重掺杂半导体区(12)位于终端区(II)的外部，在N型掺杂硅外延层(3)的上方设有氧化层(7)，其特征在于，在P型掺杂半导体区(6)的上方设有过渡区多晶硅层(8)且过渡区多晶硅层(8)位于氧化层(7)内，在过渡区多晶硅层(8)上电连接有第一金属场板(9)，且所述第一金属场板(9)向外覆盖到过渡区(I)内的最外侧的P型掺杂柱状半导体区(4)上方，在终端区(II)的超结结构中的各个N型掺杂硅柱状区域(5)的上方分别设有终端区多晶硅层(10)且终端区多晶硅层(10)位于氧化层(7)内，各个终端区多晶硅层(10)分别向过渡区(I)延伸并分别止于与各个N型掺杂硅柱状区域(5)相邻的P型掺杂柱状半导体区(4)的上方，在各个终端区多晶硅层(10)上电连接有第二金属场板(11)，且最外侧的第二金属场板以外的其他第二金属场板向终端区(II)的外边界延伸并止于下一块终端区多晶硅层(10)的上方，最外侧的第二金属场板向终端区(II)的外边界延伸并越过与其相连的终端区多晶硅层。
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