[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件的形成方法包括提供基板，所述基板表面形成有介质层；在所述介质层内形成凹槽；在所述介质层表面形成多晶硅层，所述多晶硅层完全填充所述凹槽，并完全覆盖所述介质层；对所述多晶硅层进行刻蚀，形成多个多晶硅图形，所述多晶硅图形部分完全填充所述介质层内的凹槽，部分裸露在所述介质层的外部。利用本发明所提供的半导体器件形成方法，可以在对形成多晶硅图形后的基板进行清洗时，避免由于清洗液对所述介质层的刻蚀速率大于清洗液对所述多晶硅图形的刻蚀速率，而导致所述介质层内发生钻刻的现象，进而使得后续形成的覆盖层的膜质比较均匀，提高所述半导体器件的良率和可靠性。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板表面形成有介质层；在所述介质层内形成凹槽，所述凹槽的深度处处相同；在所述介质层表面形成多晶硅层，所述多晶硅层完全填充所述凹槽，并完全覆盖所述介质层；对所述多晶硅层进行刻蚀，形成多个多晶硅图形，所述多晶硅图形部分完全填充所述介质层内的凹槽，部分裸露在所述介质层的外部；利用清洗液对具有所述多晶硅图形的基板进行清洗，所述清洗液对所述介质层的刻蚀速率大于所述清洗液对所述多晶硅图形的刻蚀速率，且所述清洗液具有各向刻蚀同性；其中，所述多晶硅图形包括：有源区、源极和漏极，且所述有源区、所述源极和所述漏极均部分完全填充所述介质层内的凹槽，部分裸露在所述介质层的外部。