[发明专利]直接出射线偏振光的发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210224234.5 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102751416A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种直接出射线偏振光的发光二极管及其制造方法，所述发光二极管通过在衬底上形成旋光阵列结构，并在外延层上形成偏振分光阵列结构，所述偏振分光阵列结构用于对自然偏振光产生分光作用，以透射P型偏振光，反射S型偏振光，所述旋光阵列结构用于将所述偏振分光阵列结构反射的S型偏振光再次反射，并将其转换为P型偏振光，再次经过偏振分光阵列结构射出，从而不需要引入外置偏振片即可实现直接出射线偏振光的目的，为后续二次光学设计提供了便利，也缩小相应领域应用产品的体积，降低了其生产成本，且光能得到充分利用、基本无能量损失，同时本发明所提供的制造方法，工艺成熟且易实施。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 射线 偏振光 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种直接出射线偏振光的发光二极管，所述发光二极管由底层向上依次包括衬底和外延层，其特征在于，所述外延层上表面具有偏振分光阵列结构，所述偏振分光阵列结构用于对具有P型偏振光和S型偏振光的自然偏振光产生分光作用，以透射P型偏振光并反射S型偏振光；所述衬底上表面具有旋光阵列结构，所述旋光阵列结构用于将所述偏振分光阵列结构反射的S型偏振光再次反射并转换为P型偏振光后再次出射。
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