[发明专利]一种制备钯膜及其复合膜的方法无效

专利信息
申请号: 201210218909.5 申请日: 2012-06-28
公开(公告)号: CN102698615A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 杨维慎;朱琳琳;鲁辉;王卫平 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: B01D71/02 分类号: B01D71/02;B01D69/12;B01D67/00
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 代理人: 张晨
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种制备钯膜及其复合膜的方法,先采用真空溶胶凝胶技术修饰多孔底膜表面,然后通过优化的敏化活化法在底膜表面引入钯晶种,最后用化学镀法在修饰后的多孔底膜表面进行镀膜。本发明通过真空溶胶凝胶修饰法对多孔底膜表面进行修饰,不仅改善底膜表面的孔径大小及分布,而且增加了修饰后底膜的修饰层与底膜之间的锚合力,提高了多孔底膜的热稳定性。通过优化的敏化活化法在多孔底膜上均匀的植入足量的钯晶种,该法优化实验步骤,不仅缩短反应时间,而且降低成本更易于实现。
搜索关键词: 一种 制备 及其 复合 方法
【主权项】:
一种制备钯膜及其复合膜的方法,其特征在于:具体步骤如下:a)取一定量的PURAL SB粉,经水合、酸解胶、陈化过程制成Boehmite溶胶,在一定浓度的Boehmite溶胶中加入一定比例的有机添加剂PVA和PEG,搅拌均匀制成浸涂溶胶;b)用步骤a)制备的浸涂溶胶浸涂多孔底膜时,在非浸涂侧施加真空抽吸作用,能增强修饰层与底膜的锚合作用,同时控制底膜修饰层的厚度,真空抽吸浸涂1‑60s后,先自然晾干,再放入马弗炉中升温至500‑700°C焙烧1‑5个小时,得到修饰后多孔底膜;c)用优化的敏化活化法在步骤b)制得的修饰后多孔底膜上引入钯晶种;d)将步骤c)得到的活化后多孔底膜浸入化学镀液中,控制反应温度20‑80°C,搅拌速率100‑500rpm,反应时间10‑300min,可制得不同合金组分、不同厚度的钯复合膜;e)若步骤d)中所制得的钯复合膜表面存在微量针孔或裂缝缺陷,可采用二次化学镀对其进行修复,将钯复合膜的非目标镀膜侧浸泡于高浓度的溶液中,目标镀膜侧浸泡在化学镀液中,在渗透作用影响下,金属钯在缺陷处沉积,修复膜缺陷。
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