[发明专利]晶圆上芯片结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210217503.5 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103137583A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;章鑫;林士庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种封装元件包括衬底，其中衬底具有正面和位于正面上方的背面。通孔穿透通过衬底。导电部件设置在衬底的背面的上方并且与通孔电连接。第一介电图案形成覆盖导电部件的边缘部分的环。凸块下金属化层(UBM)设置在导电部件的中心部分的上方并且与该中心部分接触。聚合物接触衬底的侧壁。第二介电图案设置在聚合物的上方并且对准聚合物。第一介电图案和第二介电图案由相同的介电材料形成，并且设置在基本上相同的水平面。本发明还提供晶圆上芯片结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆上 芯片 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：封装元件，包括衬底，其中，所述衬底包括正面和位于所述正面上方的背面；通孔，穿透通过所述衬底；导电部件，位于所述衬底的所述背面上方并且与所述通孔电连接；第一介电图案，形成覆盖所述导电部件的边缘部分的环；凸块下金属化层(UBM)，位于所述导电部件的中心部分的上方并且接触所述导电部件的中心部分；聚合物，接触所述衬底的侧壁；以及第二介电图案，位于所述聚合物上方并且对准所述聚合物，其中，所述第一介电图案和所述第二介电图案由相同的介电材料形成，并且设置为处于基本相同的水平。
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