[发明专利]超级电容器用高性能氧化镍钴复合纳米线薄膜无效

专利信息
申请号: 201210216522.6 申请日: 2012-06-18
公开(公告)号: CN102709060A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 肖鹏;杨飞;姚建玉;周明;张云怀;何辉超;李小玲;蒙小琴;王志峰;袁履辉 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: H01G9/058 分类号: H01G9/058
代理公司: 北京瑞盟知识产权代理有限公司 11300 代理人: 赵秉森
地址: 400030*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明公开了一种超级电容器用高性能氧化镍钴复合纳米线薄膜,由镍盐和钴盐为原料,在金属钛基底上生成的镍钴复合纳米线薄膜,其中镍盐和钴盐的摩尔比为1~5∶1~5,该薄膜不仅具有较大的比表面积,能简化电极的制备工艺,对碱性环境稳定等优点,还具有优越的超级电容性能,如具备高质量比容量和良好的循环性能,是优越的电化学超级电容器的电极材料。
搜索关键词: 超级 电容 器用 性能 氧化 复合 纳米 薄膜
【主权项】:
一种超级电容器用高性能氧化镍钴复合纳米线薄膜,其特征在于:以镍盐和钴盐为原料,在金属钛基底上生成的镍钴复合纳米线薄膜,其中镍盐和钴盐的摩尔比为1~5∶1~5。
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