[发明专利]氮化铝陶瓷基板30瓦26dB衰减片无效
| 申请号： | 201210216514.1 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102723550A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 陈建良 | 申请（专利权）人： | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215129 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦26dB衰减片，其包括一尺寸为5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述膜状电阻连接形成T型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片方案设计上充分考虑了各项性能指标，高频无感，设计上体积小，线路优化，性能稳定，生产成本低，可以直接取代同类Beo材料衰减片。且填补了原来衰减片只能应用于低频的局面，满足了目前3G网络的应用要求，同时延伸了30瓦固定膜状电阻式衰减片的系列产品线。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 陶瓷 30 26 db 衰减 | ||
【主权项】：
一种氮化铝陶瓷基板30瓦26dB衰减片，其特征在于：其包括一尺寸为5*5*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述膜状电阻连接形成T型衰减电路。
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