[发明专利]半导体装置及其操作方法与应用电路有效
| 申请号： | 201210215480.4 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102856365A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 白田理一郎;渡边浩志 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/115;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其操作方法与应用电路。藉由调整施加于双重井区上的偏压，来降低控制栅极扩散层、源极扩散层与漏极扩散层之间的漏电流，进而提高应用半导体装置的无电池电子计时器的准确性并降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 操作方法 应用 电路 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一第一导电型半导体基底；一栅极介电层，形成于该第一导电型半导体基底上；一浮置门，形成于该栅极介电层上；一第二导电型井区，形成于该第一导电型半导体基底中；一第一导电型井区，形成于该第二导电型井区中；一第二导电型源极扩散层与一第二导电型漏极扩散层，分别形成于该浮置门两侧的该第一导电型半导体基底中，该第二导电型源极扩散层、该第二导电型漏极扩散层与该浮置门形成一第二导电型晶体管，且该第二导电型晶体管位于该第二导电型井区外；以及一第二导电型控制栅极扩散层，形成于该第一导电型井区中。
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