[发明专利]红光发光二极管及制备方法无效
| 申请号： | 201210214124.0 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102751404A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 贾海强;陈弘;王晓晖;宋京;张荣勤;丁国建 | 申请（专利权）人： | 天津中环新光科技有限公司;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人： | 高凤荣 |
| 地址： | 300385 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种红光发光二极管，包括：砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上设有砷化铝（AlAs）基底层，砷化铝（AlAs）基底层上设有分布布拉格反射器；其中，分布布拉格反射器上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区, 多量子阱有源区上设有p型限制层；p型限制层上设有P型窗口层以及P型盖帽层，通过上述层结构的相互连接构成一红光发光二极管结构。本发明会在磷化铝镓铟分布布拉格反射器和砷化镓衬底之间形成空气夹层，将透过布拉格反射器的光有效地反射出来，增加了光出射的效率；其腐蚀过程会对芯片的切割面进行一次化学处理，将残留于芯片切割面上的半导体残渣腐蚀掉，改善了发光二极管芯片的电流-电压特性中的反向电流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 红光 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种红光发光二极管，包括：砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上设有砷化铝（AlAs）基底层，砷化铝（AlAs）基底层上设有分布布拉格反射器；其特征在于：分布布拉格反射器上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区, 多量子阱有源区上设有p型限制层；p型限制层上设有P型窗口层以及P型盖帽层，通过上述层结构的相互连接构成一红光发光二极管结构。
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