[发明专利]钨插塞的制作方法

摘要

本发明揭示了一种钨插塞的制作方法，包括：提供具有第一导电层的半导体基底并在所述半导体基底和第一导电层上形成金属层间介电层；在金属层间介电层中形成介质孔，介质孔的底部暴露出第一导电层的顶部；在金属层间介电层的整个表面和介质孔的底部及两侧壁表面沉积阻挡层；在阻挡层的整个表面和介质孔内沉积金属钨，金属钨至少填满介质孔；采用二氟化氙气相刻蚀法去除除介质孔中的金属钨外的所有金属钨；采用二氟化氙气相刻蚀法去除除介质孔中的阻挡层外的所有阻挡层，保留在介质孔中的金属钨形成钨插塞。本发明通过采用二氟化氙气相刻蚀法去除除介质孔中的金属钨和阻挡层外的所有金属钨和阻挡层，不会对半导体器件造成微刮伤，也没有机械应力产生，显著提高了半导体器件的性能和半导体器件的良率。

主权项

1.一种钨插塞的制作方法，其特征在于，包括：提供具有第一导电层的半导体基底并在所述半导体基底和所述第一导电层上形成金属层间介电层；在所述金属层间介电层中形成介质孔，所述介质孔的底部暴露出所述第一导电层的顶部；在所述金属层间介电层的整个表面和所述介质孔的底部及两侧壁表面沉积阻挡层；在所述阻挡层的整个表面和所述介质孔内沉积金属钨，金属钨至少填满所述介质孔；采用二氟化氙气相刻蚀法去除除介质孔中的金属钨外的所有金属钨；采用二氟化氙气相刻蚀法去除除介质孔中的阻挡层外的所有阻挡层，保留在所述介质孔中的金属钨形成钨插塞；其中在采用二氟化氙气相刻蚀法去除除介质孔中的金属钨外的所有金属钨之前，先找到临界温度Tc，在该临界温度Tc，二氟化氙气相刻蚀金属钨的速率与二氟化氙气相刻蚀阻挡层的速率相等，二氟化氙气相刻蚀法去除除介质孔中的金属钨外的所有金属钨的温度在Tc以下，二氟化氙气相刻蚀法去除除介质孔中的阻挡层外的所有阻挡层的温度在Tc以上。