[发明专利]一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法

摘要

本发明公开了一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法，在常规前道工艺中，晶体锭条经内圆切割以后形成一定厚度的晶片，然后经过热蜡贴片工艺进行研磨和精抛。但蜡的引入很难去除干净，在后继的外延工艺中会引入污染。即使经过热三氯乙烯沸腾热浴也未必能将蜡去除干净。不贴片、批量研磨、抛光可以有效提高研磨效率和研磨质量，减少蜡污染，本工艺可以控制住研磨参数，如：晶片厚度、研磨时间、转速、上下盘压力、游行片开孔大小、研磨剂用量以及研磨颗粒大小等。CdZnTe晶片无蜡研磨、抛光工艺成熟之后，在此衬底上进行HgCdTe外延薄膜的生长其晶体质量，结构会有进一步提高，对其电学参数的优化也有重要意义。

主权项

一种无蜡研磨精抛CdZnTe晶片的方法，其特征在于包括以下步骤：1)利用内圆切割机将定好晶向的CdZnTe晶片从晶锭上切割，利用划片机将晶片划成需要的标准尺寸。经热三氯乙烯、丙酮清洗去油，酒精、去离子水反复清洗去污。高纯氮气将晶片吹干，放入表面皿；2)将光学玻璃级的载物盘用丙酮、酒精、去离子水依次清洗干净，表面贴上提前做好模具；3）将贴好模具的载物盘记为W7，用去离子水清洗干净，将样品取出放入模具的开口处，由于去离子水的表面张力，样品就会吸附在载物盘上，利用7um的Al2O3颗粒悬浮液作为研磨液，转速80转/分钟，粗研磨4分钟，不要取片，将带着样品的载物盘W7用去离子水反复清洗，将表面附着的7um的Al2O3颗粒清洗干净，然后晶片取下，放在表面皿里清洗背面附着的7um的Al2O3颗粒研磨液；4）将清洗好的晶片放入第二个已经贴好模具的载物盘记为W3.5，利用3.5um的Al2O3颗粒悬浮液作为研磨液，转速80转/分钟，粗研磨3分钟，不要取片，将带着样品的载物盘W3.5用去离子水反复清洗，将表面附着的3.5um的Al2O3颗粒清洗干净，然后晶片取下，放在表面皿里清洗背面附着的3.5um的Al2O3颗粒研磨液；5）将清洗好的晶片放入第三个已经贴好模具的载物盘记为W1，利用1um的Al2O3颗粒悬浮液作为抛光液，将玻璃研磨盘换为绒布盘，转速80转/分钟，抛光3分钟，不要取片，将带着样品的载物盘W1用去离子水反复清洗，将表面附着的1um的Al2O3颗粒清洗干净，然后晶片取下，放在表面皿里清洗背面附着的1um的Al2O3颗粒抛光液；6）将清洗好的晶片放入第四个已经贴好模具的载物盘记为W0，将绒布盘换为精抛盘，利用80nm的Al2O3抛光液作为精抛液，转速95转/分钟，精抛10分钟，不要取片，将带着样品的载物盘W0用去离子水反复清洗，用高纯、长纤维棉花将表面附着的80nm的Al2O3化学抛光液清洗干净，否则残余的抛光液会对晶片有进一步的腐蚀；7）将晶片取下，放在表面皿里清洗背面附着的80nm的Al2O3化学抛光液，用热三氯乙烯热浴三次，MOS级乙醇热浴三次，取片、高纯氮气吹干。