[发明专利]半导体器件有效
| 申请号: | 201210211327.4 | 申请日: | 2006-05-16 |
| 公开(公告)号: | CN102751301A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
| 发明(设计)人: | 吉本和浩;下别府佑三;手代木和雄;新城嘉昭 | 申请(专利权)人: | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李玉锁;张浴月 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本申请公开一种半导体器件,包括:半导体衬底,其主表面上形成光接收元件区;第一突起部,其设置在半导体衬底的主表面上的光接收元件区的周围,基本上为矩形,且矩形的四个角为弧形;粘合材料层,其设置在半导体衬底的主表面上的第一突起部的外围;第二突起部,其设置在粘合材料层的周围;透明板,其由第一突起部及第二突起部支撑,并通过粘合材料层固定在光接收元件区的上方;支撑衬底,其固定至半导体衬底;以及贯通电极,其电连接半导体衬底与支撑衬底;贯通电极贯通第一突起部与第二突起部之间的半导体衬底的内部而形成。本申请具有能够增加半导体元件的光接收表面上的入射光量的简单结构。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体衬底,其主表面上形成光接收元件区;第一突起部,其设置在所述半导体衬底的主表面上的光接收元件区的周围,基本上为矩形,且该矩形的四个角为弧形;粘合材料层,其设置在所述半导体衬底的主表面上的所述第一突起部的外围;第二突起部,其设置在所述粘合材料层的周围;透明板,其由所述第一突起部及所述第二突起部支撑,并通过该粘合材料层固定在所述光接收元件区的上方;支撑衬底,其固定至所述半导体衬底;以及贯通电极,其电连接所述半导体衬底与所述支撑衬底;其中,所述贯通电极贯通所述第一突起部与所述第二突起部之间的所述半导体衬底的内部而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





