[发明专利]宽域型氧传感器芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201210209299.2 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102841121A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 郑龙华 | 申请（专利权）人： | 郑龙华 |
| 主分类号： | G01N27/409 | 分类号： | G01N27/409 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 341000 江西省赣州市章贡*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明宽域型氧传感器芯片及其制造方法，该芯片分为保护层、敏感元件层、中空参照层和加热层；敏感元件层和中空参照层之间设置参比原件层；敏感元件层为带中央微型通孔结构；参比原件层和敏感元件层之间围绕着中央微型通孔结构设置微型空腔结构和多孔扩散结构，微型空腔结构包围着多孔扩散结构处于同一层平面；设置在敏感元件层表面的是外参比信号系统，设置在参比原件层表面的是内参比信号系统；外参比信号系统的内电极和内参比信号系统的外电极同处于微型空腔结构当中，并且直接短接。优点功效是增加了一层参比原件层，引入了外参比信号和内参照信号的二次参比效应，极大扩展了工作范围，使其能适应从发动机稀薄燃烧到浓燃烧的各种气氛。 | ||
| 搜索关键词： | 宽域型氧 传感器 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
宽域型氧传感器芯片，分为保护层、敏感元件层、中空参照层和加热层；其特征在于：敏感元件层和中空参照层之间设置参比原件层；敏感元件层为带中央微型通孔结构；参比原件层和敏感元件层之间围绕着中央微型通孔结构设置微型空腔结构和多孔扩散结构，这三组结构空间上堆叠形成一组范围依次扩大的同心圆，微型空腔结构包围着多孔扩散结构处于同一层平面；设置在敏感元件层表面的是外参比信号系统，设置在参比原件层表面的是内参比信号系统；外参比信号系统的内电极和内参比信号系统的外电极同处于微型空腔结构当中，并且直接短接。
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