[发明专利]一种制造纳米电容器的方法有效
| 申请号： | 201210205760.7 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102709052A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;蒋亚东;徐建华;杨文耀;李世彬 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01G4/008 | 分类号： | H01G4/008;H01G4/10;H01G4/33 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制造纳米电容器的方法，包括：在基片上形成至少一层金属纳米粒子层；在该至少一层金属纳米粒子层中的金属纳米粒子表面形成介电材料层；在介电材料层上沉积聚合物复合材料以形成聚合物复合材料层。本发明实施例中，在基片上形成金属纳米粒子层，然后在基片上的金属纳米粒子的表面形成介电材料层，然后再在该介电材料层的表面形成聚合物复合材料层，这样形成了金属纳米粒子-介电材料层-聚合物复合材料层结构的纳米电容器。这样形成的金属纳米粒子层的金属纳米粒子密度高，比表面积大，因此形成的纳米电容器能量密度高，而且可以实现大面积纳米电容器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 纳米 电容器 方法 | ||
【主权项】：
一种制造纳米电容器的方法，其特征在于，包括：在基片上形成至少一层金属纳米粒子层；在所述至少一层金属纳米粒子层中的金属纳米粒子表面形成介电材料层；在所述介电材料层上沉积聚合物复合材料以形成聚合物复合材料层。
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