[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应管及其形成方法，其中本发明鳍式场效应管的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有绝缘层，贯穿绝缘层厚度且与绝缘层表面齐平的第一子鳍部，位于第一子鳍部表面的外延本征层，其中，第一子鳍部内具有掺杂离子，外延本征层内不具有掺杂离子；在外延本征层表面形成隔离层，隔离层具有定义出栅极结构的开口；对开口内的所述外延本征层进行修剪，并对修剪后的外延本征层进行掺杂；在所述开口内形成外延层，外延层均匀覆盖掺杂后的外延本征层顶部和侧壁；在所述开口内形成横跨外延层的顶部和侧壁的栅极结构。形成的鳍式场效应管的阈值电压低，栅极漏电流小，器件性能稳定。

主权项

一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有绝缘层，贯穿所述绝缘层厚度且与所述绝缘层表面齐平的第一子鳍部，位于所述第一子鳍部表面的外延本征层，其中，所述第一子鳍部内具有掺杂离子，所述第一子鳍部内掺杂的离子浓度范围为：1E18atoms/cm3‑1E19atoms/cm3；在所述外延本征层表面形成隔离层，所述隔离层具有定义出栅极结构的开口；对所述开口内的所述外延本征层进行修剪，并对修剪后的外延本征层进行掺杂，形成第二子鳍部，所述第二子鳍部内掺杂离子的浓度范围为：1E17atoms/cm3‑1E18atoms/cm3；在所述开口内形成外延层，所述外延层均匀覆盖所述第二子鳍部的顶部和侧壁；所述外延层的厚度与修剪掉的外延本征层的厚度相同；在所述开口内形成横跨所述外延层的顶部和侧壁的栅极结构；所述栅极结构包括横跨所述外延层的顶部和侧壁的高K栅介质层，覆盖所述高K栅介质层的金属栅电极层。