[发明专利]半导体器件中氧化层的形成方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件中氧化层的形成方法，包括下列步骤在晶圆的有源区上形成氧化层；在所述氧化层上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影处理后形成光刻胶阻挡层；以所述光刻胶阻挡层为掩膜，向所述有源区内进行离子注入；使用氢氟酸溶液对所述氧化层进行蚀刻。本发明采用稀氢氟酸溶液对氧化层进行蚀刻，由于稀氢氟酸溶液对硅的腐蚀速率较小，因此蚀刻过后不易在氧化层下的离子注入区域产生硅孔缺陷，提高了产品的良率。

主权项

一种半导体器件中氧化层的形成方法，其特征在于，所述半导体器件为闪存，所述方法包括下列步骤：在晶圆的有源区上形成氧化层；在所述氧化层上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影处理后形成光刻胶阻挡层；以所述光刻胶阻挡层为掩膜，向所述有源区内进行离子注入；所述离子注入的步骤包括第一离子注入步骤、第二离子注入步骤及第三离子注入步骤，由下到上分别形成第一离子注入区域、第二离子注入区域及第三离子注入区域；所述第一离子注入步骤的注入能量为100千电子伏，注入剂量为1.0×1013/cm2；所述第二离子注入步骤的注入能量为40千电子伏，注入剂量为2.8×1013/cm2；所述第三离子注入步骤的注入能量为10千电子伏，注入剂量为1.5×1012/cm2；使用氢氟酸溶液对所述氧化层进行蚀刻；在所述晶圆上形成浮栅结构；在所述浮栅结构上形成氧化膜‑氮氧化膜‑氧化膜结构；在所述氧化膜‑氮氧化膜‑氧化膜结构上形成控制栅结构。