[发明专利]基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器无效
| 申请号： | 201210192819.3 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN102707462A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;江斌;王宇飞;张冶金;冯志刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/095 | 分类号： | G02F1/095 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器，该4×4二进制发生器具有一个周期排布四方晶格的磁光光子晶体介质柱结构，该磁光光子晶体介质柱被分成5×5的区域，在不同的区域施加沿着介质柱的+z或者-z磁场，通过调节不同区域的磁场，对光进行动态调制，实现二进制产生的功能。本发明提供的这种基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器，由于在磁光光子晶体具有TM光子带隙，在磁光光子晶体不同半平面引入不同的外加磁场，可以形成磁光光子晶体波导。由于磁导率张量的非倒易性，因而可以磁光光子晶体具有单向传播特性，并且可以完美传输。基于磁光光子晶体波导，可以构建的磁光光子晶体弯折波导、磁光光子晶体分束器等也具有完美传输的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光子 晶体 二进制 发生器 | ||
【主权项】：
一种基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器，其特征在于，该4×4二进制发生器具有一个周期排布四方晶格的磁光光子晶体介质柱结构，该磁光光子晶体介质柱结构被分成5×5的区域，在不同的区域施加沿着介质柱的+z或者‑z磁场，通过调节不同区域的磁场，对光进行动态调制，实现二进制产生的功能。
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