[发明专利]一种发光元件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210191933.4 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103489980A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞华;郭育玮 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;奇美电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种发光元件及其制作方法，发光元件包括：一基板；一第一电极，形成于所述基板上；一发光结构，形成于所述第一电极上，所述发光结构包含一第一非本征半导体层、一第二非本征半导体层、及一介于所述第一非本征半导体层与所述第二非本征半导体层之间的主动层；一第一绝缘层，形成于所述发光结构的侧壁上；以及一第二电极，连接所述第一非本征半导体层；其中，所述第一电极包含一形成于所述第一绝缘层侧壁上的第一分支、一形成于所述第一绝缘层下的第二分支、及一形成于所述第二非本征半导体层边缘的第三分支。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光元件，其特征在于，其包括：一基板；一第一电极，位于所述基板上；一发光结构，位于所述第一电极上，所述发光结构包含一第一非本征半导体层、一第二非本征半导体层及一介于所述第一非本征半导体层与所述第二非本征半导体层之间的主动层；一第一绝缘层，位于所述发光结构的侧壁；以及一第二电极，连接所述第一非本征半导体层；其中，所述第一电极包含一位于所述第一绝缘层侧壁上的第一分支。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群康科技（深圳）有限公司;奇美电子股份有限公司，未经群康科技（深圳）有限公司;奇美电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210191933.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
