[发明专利]凹槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210191423.7 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102683180B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 邓咏桢;陈莹莹 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种凹槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法。根据本发明的凹槽刻蚀方法包括在硅片上涂覆具有具体厚度的光刻胶；形成所述光刻胶的用于刻蚀出凹槽的图案；以及利用形成有图案的光刻胶，执行等离子刻蚀；其中，对光刻胶的所述具体厚度以及等离子刻蚀过程中的刻蚀能量进行控制，以使等离子体消耗完所述光刻胶而刻蚀到光刻胶的下面的硅片。利用刻蚀光刻胶残留的特点，根据本发明，可以在不执行硼磷硅玻璃回流的情况下形成上部的角轮廓形成为圆弧形状的凹槽，从而简化了工艺步骤，降低了工艺成本，并且缩短了工艺时间。 | ||
| 搜索关键词： | 凹槽 刻蚀 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
一种凹槽刻蚀方法，其特征在于包括：在硅片上涂覆具有具体厚度的光刻胶；形成所述光刻胶的用于刻蚀出凹槽的图案；以及利用形成有图案的光刻胶，执行等离子刻蚀；其中，对光刻胶的所述具体厚度以及等离子刻蚀过程中的刻蚀能量进行控制，使具有凹槽图案的光刻胶的边缘区域比所述具有凹槽图案的光刻胶的中间区域更早的被刻蚀完，以使等离子体消耗完所述光刻胶而刻蚀到所述光刻胶的下面的硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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