[发明专利]分栅式闪存单元以及分栅式闪存装置

摘要

本发明提供了一种分栅式闪存单元以及分栅式闪存装置。分栅式闪存单元包括：源极和漏极，位于源极和漏极之间的分栅结构，所述分栅结构包括布置在衬底上的介质层上的层叠的第一浮栅和第一控制栅极，其中第一浮栅和第一控制栅极之间布置了介质层，所述分栅结构还包括布置在衬底上的介质层上的层叠的第二浮栅和第二控制栅极，其中第二浮栅和第二控制栅极之间布置了介质层，并且第一浮栅和第一控制栅极的叠层与第二浮栅和第二控制栅极的叠层并排布置。位线区域布置在第一浮栅和第一控制栅极的叠层与第二浮栅和第二控制栅极的叠层之间。第一擦除栅极处于源极上方，第二擦除栅极处于漏极上方，第一擦除栅极和第二擦除栅极与衬底之间布置了介质层。

主权项

一种分栅式闪存单元，其特征在于包括：布置在衬底中的源极和漏极，布置在衬底上的位于源极和漏极之间的分栅结构，所述分栅结构包括布置在衬底上的介质层上的层叠的第一浮栅和第一控制栅极，其中第一浮栅和第一控制栅极之间布置了介质层，所述分栅结构还包括布置在衬底上的介质层上的层叠的第二浮栅和第二控制栅极，其中第二浮栅和第二控制栅极之间布置了介质层，并且第一浮栅和第一控制栅极的叠层与第二浮栅和第二控制栅极的叠层并排布置；所述分栅式闪存单元还包括：布置在第一浮栅和第一控制栅极的叠层与第二浮栅和第二控制栅极的叠层之间的位线区域；以及布置在衬底上的处于源极上方的第一擦除栅极以及布置在衬底上的处于漏极上方的第二擦除栅极，并且第一擦除栅极与衬底之间布置了介质层，第二擦除栅极与衬底之间布置了介质层。