[发明专利]沟槽间形成空气间隔的方法有效
| 申请号： | 201210187234.2 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103474387A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;符雅丽;胡敏达;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽间形成空气间隔的方法：预先提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面自下而上依次包括第一刻蚀终止层和图案化的光阻胶层，图案化的光阻胶层所显露区域定义沟槽的关键尺寸；在第一刻蚀终止层和图案化的光阻胶层表面沉积超低温氧化层，并对所述超低温氧化层进行各向异性刻蚀，形成位于图案化光阻胶层两侧的侧壁层；沉积金属铜并进行化学机械研磨至与图案化光阻胶层的高度齐平，形成沟槽内的金属铜；在金属铜和图案化光阻胶层的表面形成有孔盖层；透过有孔盖层去除图案化光阻胶层，形成沟槽间的空气间隔。采用本发明能够降低整个IC的RC延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 空气 间隔 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽间形成空气间隔的方法，应用于半导体器件的后段工艺中，该方法包括：预先提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面自下而上依次包括第一刻蚀终止层和图案化的光阻胶层，图案化的光阻胶层所显露区域定义沟槽的关键尺寸；在第一刻蚀终止层和图案化的光阻胶层表面沉积超低温氧化层，并对所述超低温氧化层进行各向异性刻蚀，形成位于图案化光阻胶层两侧的侧壁层；沉积金属铜并进行化学机械研磨至与图案化光阻胶层的高度齐平，形成沟槽内的金属铜；在金属铜和图案化光阻胶层的表面形成有孔盖层；透过有孔盖层去除图案化光阻胶层，形成沟槽间的空气间隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
