[发明专利]高压器件及高压晶体管的过压保护方法有效
| 申请号： | 201210186409.8 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102751968A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·迪斯尼 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有过压保护功能的高压器件及过压保护方法，该高压器件包括：高压晶体管，具有漏极、栅极和源极；以及过压保护电路，耦接在高压晶体管的漏极和源极之间，监测高压晶体管两端的电压以判断高压晶体管是否过压，并在检测到过压时提供第一电信号至高压晶体管的栅极以导通高压晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 器件 晶体管 保护 方法 | ||
【主权项】：
一种高压器件，包括：高压晶体管，具有漏极、栅极和源极；以及过压保护电路，耦接在高压晶体管的漏极和源极之间，监测高压晶体管两端的电压以判断高压晶体管是否过压，并在检测到过压时提供第一电信号至高压晶体管的栅极以导通高压晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都芯源系统有限公司，未经成都芯源系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210186409.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光学指纹头调焦装置
- 下一篇：一种湿式水表的双胶圈密封防水结构
