[发明专利]MOS结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210183269.9 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456767B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS结构及其制造方法，包括衬底；形成于所述衬底上的绝缘掩埋层以及贯穿所述绝缘掩埋层的凹槽；形成于所述绝缘掩埋层上和凹槽中的外延层；形成于所述外延层上的栅极结构；形成于所述栅极结构两侧的外延层中的源极区域和漏极区域。采用本发明的MOS结构，可以有效抑制浮体效应，同时能降低源/漏之间的串联电阻。 | ||
| 搜索关键词： | mos 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS结构的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成绝缘掩埋层；形成贯穿所述绝缘掩埋层的凹槽，所述凹槽将所述绝缘掩埋层分隔成第一绝缘掩埋块和第二绝缘掩埋块，所述第一绝缘掩埋块和第二绝缘掩埋块相背离的两侧暴露出部分所述衬底；在暴露出的部分所述衬底上、所述绝缘掩埋层上和凹槽中形成外延层；在所述外延层上形成栅极结构；以及在所述栅极结构两侧的外延层中形成源极区域和漏极区域；其中，所述第一绝缘掩埋块的截面宽度小于所述源极区域的最大截面宽度，所述第二绝缘掩埋块的截面宽度小于所述漏极区域的最大截面宽度，所述源极区域和漏极区域的结深超过所述绝缘掩埋层延伸至所述衬底内。
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