[发明专利]基于双光电转换层异维异质结构的光电探测器有效
申请号: | 201210182614.7 | 申请日: | 2012-06-04 |
公开(公告)号: | CN102694051A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 朱嘉麟;张国伟;杨铭杰;刘伟;孙家林 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0352;B82Y15/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 朱琨 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了光电探测器设计技术领域中的一种基于双光电转换层异维异质结构的光电探测器。包括上电极引线、透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层、电子接收层和下电极引线;透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层和电子接收层自上而下依次布置;透明导电光电子发射层采用碳纳米管薄膜;双光电转换层的上层采用氧化亚铜纳米颗粒薄膜,双光电转换层的下层采用氧化钛纳米管阵列;绝缘层中部含有一个透光窗口,碳纳米管薄膜通过透光窗口与氧化亚铜纳米颗粒薄膜接触;电子接收层采用钛薄片;上电极引线和碳纳米管薄膜与绝缘层相接触的区域相连;钛薄片下表面与下电极引线相连接。本发明具有较高的光电响应灵敏度,其结构简单且制作方便。 | ||
搜索关键词: | 基于 光电 转换 层异维异质 结构 探测器 | ||
【主权项】:
一种基于双光电转换层异维异质结构的光电探测器,其特征是所述光电探测器包括上电极引线、透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层、电子接收层和下电极引线;所述透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层和电子接收层自上而下依次布置;所述透明导电光电子发射层为光电探测器的上电极,电子接收层为光电探测器的下电极;所述透明导电光电子发射层采用碳纳米管薄膜;所述双光电转换层的上层采用氧化亚铜纳米颗粒薄膜,双光电转换层的下层采用氧化钛纳米管阵列;所述绝缘层中部含有一个透光窗口,碳纳米管薄膜通过所述透光窗口与氧化亚铜纳米颗粒薄膜接触;所述电子接收层采用钛薄片;所述上电极引线和碳纳米管薄膜与绝缘层相接触的区域相连;所述钛薄片下表面与下电极引线相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的