[发明专利]基于双光电转换层异维异质结构的光电探测器有效

专利信息
申请号: 201210182614.7 申请日: 2012-06-04
公开(公告)号: CN102694051A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 朱嘉麟;张国伟;杨铭杰;刘伟;孙家林 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/0352;B82Y15/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 朱琨
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了光电探测器设计技术领域中的一种基于双光电转换层异维异质结构的光电探测器。包括上电极引线、透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层、电子接收层和下电极引线;透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层和电子接收层自上而下依次布置;透明导电光电子发射层采用碳纳米管薄膜;双光电转换层的上层采用氧化亚铜纳米颗粒薄膜,双光电转换层的下层采用氧化钛纳米管阵列;绝缘层中部含有一个透光窗口,碳纳米管薄膜通过透光窗口与氧化亚铜纳米颗粒薄膜接触;电子接收层采用钛薄片;上电极引线和碳纳米管薄膜与绝缘层相接触的区域相连;钛薄片下表面与下电极引线相连接。本发明具有较高的光电响应灵敏度,其结构简单且制作方便。
搜索关键词: 基于 光电 转换 层异维异质 结构 探测器
【主权项】:
一种基于双光电转换层异维异质结构的光电探测器,其特征是所述光电探测器包括上电极引线、透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层、电子接收层和下电极引线;所述透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层和电子接收层自上而下依次布置;所述透明导电光电子发射层为光电探测器的上电极,电子接收层为光电探测器的下电极;所述透明导电光电子发射层采用碳纳米管薄膜;所述双光电转换层的上层采用氧化亚铜纳米颗粒薄膜,双光电转换层的下层采用氧化钛纳米管阵列;所述绝缘层中部含有一个透光窗口,碳纳米管薄膜通过所述透光窗口与氧化亚铜纳米颗粒薄膜接触;所述电子接收层采用钛薄片;所述上电极引线和碳纳米管薄膜与绝缘层相接触的区域相连;所述钛薄片下表面与下电极引线相连接。
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